【深铭易购】资讯：根据爆料，三星的3纳米制程初始良率虽然仅为10%至20%，但最近已经增加到原来的三倍以上，即最高可达60%。未来有望追赶台积电的整体表现。

尽管目前三星的3纳米GAA（环绕栅极）制程良率有了显著提高，但仍低于台积电使用的现有FinFET制程的3纳米工艺。然而，据称，三星对其第二代3纳米制程寄予厚望，其性能、功耗和面积（PPA）方面表现出色，有望赶上台积电的N3P。

消息人士透露，三星的3纳米制程在能源效率和逻辑区域方面比上一代4纳米FinFET改善了20%至30%。

据韩国媒体TheElec报道，三星共同执行长庆桂显于3月20日的年度股东大会上预测，今年的半导体相关营收有望回到2022年前的水平。

庆桂显指出，存储业务已于今年1月转亏为盈，今年将完全恢复活力。除了高频宽内存（HBM）外，三星还在与客户接洽有关开放性高速互连通讯协议CXL和内存处理器（PIM）的事宜，结果预计将很快出炉。

三星晶圆代工业务总裁崔时荣在同一场合表示，尽管英特尔开始讨论1.4纳米制程，但三星和台积电也都有相关制程规划。他表示，客户需要的是稳定供应和竞争力强的晶圆代工商，三星的4纳米制程已经成熟。

崔时荣还表示，三星的第二代3纳米制程预计将于今年下半年投产，而2纳米制程的投产时间则定于明年。